[发明专利]半导体器件及其制备方法和通信设备在审
申请号: | 202010260213.3 | 申请日: | 2020-04-03 |
公开(公告)号: | CN113555449A | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | 李志伟;王谦;曾金林;任民 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L31/18;H01L31/0232 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 熊永强;李稷芳 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供一种半导体器件及其制备方法和通信设备。所述半导体器件包括半导体基板及设于所述半导体基板上的光电器件和传导件,所述光电器件和所述传导件耦合对准,所述半导体基板的安装面设有至少三个限位支撑柱,其中至少三个限位支撑柱围设形成至少一个三角形区域,所述光电器件包括与所述限位支撑柱一一对应的限位槽,所述限位支撑柱远离所述安装面的端部收容在所述限位槽内,通过与所述限位槽的内壁接触以支撑及限位所述光电器件。本申请的半导体器件用以避免有源芯片在高温焊接下会产生位移,导致焊接后的有源芯片与无源器件的耦合对准精度较差的问题。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制备 方法 通信 设备 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的