[发明专利]一种钴酸镍气敏材料、钴酸镍气敏传感器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010261769.4 申请日: 2020-04-04
公开(公告)号: CN111573744B 公开(公告)日: 2023-02-03
发明(设计)人: 程鹏飞;王莹麟;党凡;许录平;王海;张华 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12;C01G53/00
代理公司: 西安长和专利代理有限公司 61227 代理人: 肖志娟
地址: 710071 陕西省*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明属于半导体氧化物气体传感器制备技术领域,公开了一种钴酸镍气敏材料、钴酸镍气敏传感器及其制备方法。此传感器的制备方法包括:以硝酸钴、硝酸镍、二甲基咪唑为前驱物,以乙醇与水的混合溶液为溶剂,通过一步水热法成功合成了具有分等级花状钴酸镍气敏材料;将制备好的气敏材料均匀地涂覆在带有两个金电极,四条铂引线的陶瓷管外表面,并按照旁热式器件工艺焊接,组装,完成分等级花状钴酸镍气体传感器的制备。最后对所制备的气体传感器进行了性能测试,测试结果表明利用本发明方法制备的分等级花状钴酸镍气体传感器对正丁醇气体具有优异的传感器特性,可长期实现在低温环境下对正丁醇的高效检测。
搜索关键词: 一种 钴酸镍气敏 材料 传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
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