[发明专利]一种热辅助磁性斯格明子存储器及数据写入方法有效
| 申请号： | 202010261854.0 | 申请日： | 2020-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN111446361B | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 游龙;王垚元;罗时江 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11C11/16 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种热辅助磁性斯格明子存储器，属于数字电路技术领域，包括：依次叠放的钉扎层、隧穿层、自由层和重金属层；钉扎层、隧穿层和自由层构成磁隧道结；钉扎层和自由层均具有垂直磁各向异性；钉扎层和隧穿层为圆柱结构，且二者膜面均小于自由层的膜面，用于向自由层注入单向局部电流，以诱导自由层中斯格明子的产生，或使自由层中斯格明子湮灭；重金属层的膜面形状与自由层的膜面形状相同，用于与自由层产生界面DMI，以稳定斯格明子；钉扎层和重金属层外侧还分别叠放有热势垒层，且均由导热系数较低的材料制成，用于提高加热效率。本发明相比于传统的热辅助磁存储器，能够有效降低加热温度，提高存储器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 辅助 磁性 明子 存储器 数据 写入 方法 | ||
【主权项】：
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