[发明专利]改善p型氮化镓欧姆的方法在审
| 申请号： | 202010262719.8 | 申请日： | 2020-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN111446622A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 梁锋;赵德刚;刘宗顺;朱建军;陈平;杨静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/042 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种改善p型氮化镓欧姆的方法，包括：步骤1：在衬底上生长低温氮化镓缓冲层；步骤2：在低温氮化镓缓冲层上生长高温非故意掺杂氮化镓层；步骤3：在高温非故意掺杂氮化镓层上生长中度掺镁p型氮化镓；步骤4：在中度掺镁p型氮化镓上生长重掺镁p型氮化镓。本公开通过调整重掺镁p型氮化镓的外延生长条件，控制该层中碳杂质浓度，可有效降低比接触电阻率，改善p型氮化镓的欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 氮化 欧姆 方法 | ||
【主权项】：
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