[发明专利]一种极化掺杂的SBD二极管及其制备方法

摘要

本发明提出一种极化掺杂的SBD二极管及其制备方法，所述SBD二极管结构自下而上依次为GaN衬底、n型GaN层、n‑型GaN层、渐变掺杂的AlGaN结构、嵌入所述n‑型GaN层的高阻区、位于所述GaN衬底底部的阴极和位于顶部所述GaN层上的阳极，其中渐变掺杂的AlxGa1‑xN结构底层为n‑AlGaN层，顶层为n‑GaN层，Al组分自下而上逐渐减小，其中0≤x≤1；所述高阻区上表面与顶部所述n‑GaN层共面。用渐变掺杂方法对n型区域进行极性掺杂，采用氧化层终端结构提高SBD击穿电压的同时解决正向导通电压低和正向导通电流小的问题。