[发明专利]一种半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 202010263640.7 | 申请日： | 2020-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN111490003B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 李琢;肖杰林;张建;陈武佳;秦宏志 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（深圳）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 刘荣娟 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种半导体结构的形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有深沟槽；使用原子层沉积工艺在所述深沟槽的底部和侧壁形成第一隔离层；使用化学气相沉积法在所述第一隔离层表面形成第二隔离层，所述第一隔离层和第二隔离层填满所述深沟槽。本申请所述的半导体结构的形成方法，20％至30％的深沟槽结构采用ALD填充，70％至80％的深沟槽结构采用CVD来填充，通过控制ALD和CVD的比例，在不影响产能和成本的情况下，满足深沟槽工艺对阶梯覆盖能力的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（深圳）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（深圳）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010263640.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：数据脱敏系统和数据脱敏方法
- 下一篇：一种防误触方法、装置、设备及存储介质
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
