[发明专利]一种单光子源的制备方法及单光子源和集成光学器件有效
| 申请号： | 202010264527.0 | 申请日： | 2020-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN111564534B | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 欧欣;伊艾伦;游天桂;张加祥;黄凯;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/34 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单光子源的制备方法及单光子源和集成光学器件，本发明通过在SiC晶圆0001面形成氧化硅保护层；在氧化硅保护层上制备掩膜；对SiC晶圆进行离子注入形成缺陷层；去除掩膜；将注入结构沿氧化硅保护层表面与另一带介质层的衬底键合；对键合结构退火；对剥离得到的表面SiC薄膜做后处理，再进行离子注入的方法步骤，将SiC薄膜经离子注入转移至衬底上，有利于避免注入损伤，有效克服了现有的SOI工艺制备的SiC薄膜因离子注入缺陷造成薄膜质量差、无法制备单光子源以及光损耗严重的问题，得到的单晶SiC薄膜和可控单光子源阵列具有高均匀性，高质量性，有利于制备高性能SiC基集成光学器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光子 制备 方法 集成 光学 器件 | ||
【主权项】：
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