[发明专利]射频芯片集成封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202010264996.2 | 申请日： | 2020-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN111446175A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 王全龙;曹立强;陈峰;孙绪燕 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/60;H01L23/552;H01L23/66;H01Q1/22;H01Q1/52 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种射频芯片集成封装结构及其制备方法，所述射频芯片集成封装结构的制备方法包括：在临时键合载板的第一表面形成第一导电层，在所述第一导电层上形成一个或多个导电柱；将芯片附连至所述第一导电层上；形成绝缘膜，所述绝缘膜覆盖所述第一导电层、所述芯片、所述一个或多个导电柱；去除部分绝缘膜，暴露出第一导电层的部分导电线路，形成屏蔽层接地处；形成屏蔽层，所述屏蔽层覆盖所述绝缘膜，以及所述屏蔽层电连接所述屏蔽层接地处；形成塑封层，所述塑封层覆盖所述屏蔽层；暴露出所述一个或多个导电柱的顶面；在所述塑封层顶面上形成第二导电层，所述第二导电层电连接所述一个或多个导电柱；在所述第二导电层上布置天线阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 芯片 集成 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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