[发明专利]电子器件、电子组件器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010265891.9 | 申请日： | 2020-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN112599670A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 金俊德;陈建宏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了硅上氮化镓结构，其中，二维电子气(2DEG)层是包括至少两个2DEG段的不连续层。每个2DEG段通过间隙与另一个2DEG段分隔开。2DEG层可以由设置在氮化铝镓层的一部分上方的p型掺杂的氮化镓层耗尽。另外地或可选地，可以在结构中形成穿过2DEG层的沟槽以在2DEG层中产生间隙。电子组件位于间隙的至少一部分上方。本发明的实施例还涉及电子器件、电子组件器件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 电子 组件 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010265891.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种多孢木霉及其应用
- 下一篇：一种安全辅助电池盖
