[发明专利]一种用于N型TOPCon电池背表面钝化的掺杂方法在审
| 申请号： | 202010266753.2 | 申请日： | 2020-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN111584679A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 张天杰;刘大伟;倪玉凤;魏凯峰;杨露;宋志成 | 申请（专利权）人： | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司;黄河水电西宁太阳能电力有限公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 安曼 |
| 地址： | 710099 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于公开一种用于N型TOPCon电池背表面钝化的掺杂方法，与现有技术相比，通过两步掺杂方式，即先对背表面的基体进行一个极浅的掺杂，然后再沉积遂穿氧化层及多晶硅层，最后再对多晶硅层进行掺杂；采用离子注入及磷扩散组合的方式完成背表面的掺杂；有效地解决了现有掺杂技术中由于遂穿氧化层的阻挡作用，使得Si基体表面掺杂浓度总是低于多晶硅层的掺杂浓度，使得在Si基体与遂穿氧化层的界面处聚集的多数载流子相对较少的问题，实现本发明的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 topcon 电池 表面 钝化 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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