[发明专利]一种光还原自降解高分子及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202010267218.9 | 申请日： | 2020-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN111592634B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 丁明明;贺晓溶;文未然;翁闯;刘信夫;张琴;谭鸿;傅强 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C08G18/77 | 分类号： | C08G18/77;C08G18/38;C08G75/00;A61K47/34 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 刘文娟 |
| 地址： | 610065 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及智能高分子材料领域，涉及一种光还原自降解高分子及其制备和应用。本发明提供一种光还原自降解高分子材料，所述材料的分子结构的主链含有还原敏感基团，支链含有光敏感基团，分子结构中还含有还原剂残基；所得材料在光刺激的作用下由于光敏感基团的脱除从而激活了还原剂残基，还原剂残基与还原敏感基团发生反应使得高分子材料的主链断裂，实现了高分子材料的还原降解。本发明所得光还原自降解高分子材料在还原性生理环境中能够响应细胞内水平的GSH实现主链的断裂；在缺乏还原剂的情况下，该聚合物在光照条件原位释放还原基团，同样能够实现主链的还原自降解。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光还原 降解 高分子 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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