[发明专利]半导体结构及其制作方法有效
| 申请号： | 202010267288.4 | 申请日： | 2020-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN113496952B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 祝啸 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法，半导体结构的制作方法包括：提供衬底和位于所述衬底上的多个分立的位线结构，所述位线结构内具有金属层，所述金属层顶面低于所述位线结构顶面；形成填充于相邻所述位线结构之间的第一隔离膜，所述第一隔离膜顶面高于所述金属层顶面且低于所述位线结构顶面；在所述位线结构顶部和侧壁以及所述第一隔离膜顶面形成第一介质膜；采用无掩膜干法刻蚀工艺，刻蚀去除位于所述位线结构顶部和所述第一隔离膜顶面的所述第一介质膜，形成第一介质层，且刻蚀去除所述第一介质层暴露的所述第一隔离膜，形成位于所述第一介质层正下方的第一隔离层。本发明有利于降低半导体结构的制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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