[发明专利]半导体存储器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010267452.1 | 申请日： | 2020-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN113496953A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 权俊模 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108;H01L49/02 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体存储器件及其制备方法；包括如下步骤：提供衬底；于衬底上形成叠层结构；于叠层结构内形成若干个间隔排布电容孔；于电容孔内形成下电极层；去除顶层介质层；于暴露出的牺牲层的表面及下电极层的上部表面形成第一电容介质层；于第一电容介质层的表面形成第一上电极层；于第一上电极层及第一电容介质层内形成多个开口；基于开口去除牺牲层；至少于下电极层的表面及暴露出的底层介质层的表面形成第二电容介质层；于第二电容介质层的表面形成第二上电极层。本发明的第一电容介质层及第一上电极层既可以起到支撑层的作用，又可以与下电极层形成电容，从而可以增大柱状电容的电容容量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
