[发明专利]晶圆状态检测方法及半导体设备在审
| 申请号： | 202010268250.9 | 申请日： | 2020-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN111415889A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 毕迪 | 申请（专利权）人： | 上海果纳半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;G06T7/00 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高翠花 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种晶圆状态检测方法及半导体设备，所述晶圆状态检测方法包括如下步骤：采集晶圆容纳装置内晶圆状态的实时图像；将所述实时图像与标准图像进行对比，以判断所述晶圆容纳装置内的晶圆状态，所述标准图像为晶圆容纳装置内的晶圆处于标准状态时采集的图像。本发明优点是，利用图像采集的方法对晶圆在晶圆容纳装置内的实时状态进行判断，能够实现高速精准的判断，且进一步避免了现有的遮断式光线传感器的误差，大大提高了晶圆状态检测的准确度。另外，相较于现有技术，本发明晶圆状态检测方法不依赖机械手臂，从而能够进一步避免机械手臂的不稳定等缺陷对晶圆状态检测的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 状态 检测 方法 半导体设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海果纳半导体技术有限公司，未经上海果纳半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010268250.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：蚀刻设备
- 下一篇：一种基于多核融合的大数据滤波方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
