[发明专利]3D NAND存储器件的制造方法及3D NAND存储器件有效
| 申请号： | 202010268989.X | 申请日： | 2020-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN111430360B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 孙闯;王健舻;曾明;徐伟;侯婧文 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B41/20 | 分类号： | H10B41/20;H10B41/41;H10B69/00 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种3D NAND存储器件的制造方法及3D NAND存储器件，所述方法包括步骤：提供衬底；在衬底的正面上形成堆叠结构，并在堆叠结构中形成沟道孔；在沟道孔中形成导电沟道结构，导电沟道结构包括沟道层；对准沟道孔，从衬底的背面刻蚀衬底，得到通孔，且刻蚀停留在沟道层上；填充通孔，形成沟道层与衬底中阱区的电路回路。其中，在沟道孔中形成导电沟道结构后，从衬底的背面刻蚀并沉积以形成沟道层与衬底中阱区的电路回路，从而能有效避免从衬底的正面刻蚀时对导电沟道结构的损坏，提高了产品的电学性能和良率；不从衬底的正面刻蚀并沉积还能省掉牺牲硅层这一工序，对应的生产工序简单，生产效率提高且生产成本降低。 | ||
| 搜索关键词： | nand 存储 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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