[发明专利]集成芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 202010269632.3 | 申请日： | 2020-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN112670405A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 张耀文;闵仲强;庄学理;王宏烵;杨宗学;曾元泰;黄胜煌;林佳桦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种在衬底上方包含磁阻随机存取存储(magnetoresistive random access memory，MRAM)单元的集成芯片。介电结构上覆于衬底。磁阻随机存取存储单元设置在介电结构内。磁阻随机存取存储单元包含包夹在底部电极与顶部电极之间的磁性隧道结(magnetic tunnel junction，MTJ)。导电线上覆于顶部电极。侧壁间隔物结构沿着磁性隧道结和顶部电极的侧壁不断延伸。侧壁间隔物结构包含第一侧壁间隔物层、第二侧壁间隔物层以及包夹在第一侧壁间隔物层与第二侧壁间隔物层之间的保护侧壁间隔物层。第一侧壁间隔物层和第二侧壁间隔物层包括第一材料，保护侧壁间隔物层包括与第一材料不同的第二材料。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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