[发明专利]超结半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010270221.6 | 申请日： | 2020-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN111463131A | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 袁家贵;何云;罗顶;管浩 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路制造（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种超结半导体器件及其制造方法。所述制造方法在衬底上形成第一外延层并在其中形成了多个第一柱体，然后再形成第二外延层，并在第二外延层中形成与各个所述第一柱体一一对应的体区，每个体区与对应的第一柱体电接触。第一柱体及与其电接触的体区可以作为超结半导体器件的第二导电类型柱，而与第二导电类型柱邻接的第一外延层部分和第二外延层部分可以作为第一导电类型柱，该方法可以降低超级结的制造难度。进一步的，第一外延层中还可形成浮空的第二柱体，在器件截止操作中可以减缓耗尽速度，使米勒电容的变化变缓，从而降低辐射噪声。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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