[发明专利]一种高载流子浓度的石墨烯/金刚石复合结构制备方法有效
| 申请号： | 202010271353.0 | 申请日： | 2020-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN111517305B | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 李成明;原晓芦;刘金龙;魏俊俊;邵思武;朱肖华;安康;陈良贤 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C01B32/184 | 分类号： | C01B32/184;C01B32/28;C01B32/25;H01L29/161 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高载流子浓度的石墨烯/金刚石复合结构制备方法，属于宽禁带半导体材料技术领域。主要步骤为1)对单晶金刚石进行抛光酸洗；2)在单晶金刚石表面镀覆一层厚度为10‑50nm的镍、铜、铬或铜镍合金；3)采用直流喷射等离子体电弧炉对表面镀镍、铜、铬或铜镍合金单晶金刚石进行快速热处理；4)将快速热处理后的镀镍、铜、铬或铜镍合金单晶金刚石放置于稀酸中浸泡直至金属镍完全溶解，即得到所述石墨烯/金刚石复合结构。本发明采用直流喷射等离子体电弧炉替代普通管式炉，解决了现有技术中升温速率慢，所得石墨烯缺陷多，导电性差等技术问题。本发明中石墨烯/金刚石复合结构缺陷少，质量高，表面载流子浓度高，导电性好，有望满足高频高功率金刚石电子器件的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 载流子 浓度 石墨 金刚石 复合 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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