[发明专利]一种可以消除密勒效应的快速光电耦合器及实现方法在审
| 申请号： | 202010271567.8 | 申请日： | 2020-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN111262568A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 崔建国;宁永香;崔建峰;崔燚;李光序 | 申请（专利权）人： | 崔建国 |
| 主分类号： | H03K17/78 | 分类号： | H03K17/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 045000 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种可以消除密勒电容影响的快速光电耦合器，其包括光耦输入电路、晶体管光电耦合器电路、射极跟随器电路、射极跟随器基极偏压产生电路、偏压稳定电路、负载电阻R |
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| 搜索关键词： | 一种 可以 消除 效应 快速 光电 耦合器 实现 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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