[发明专利]包括具有负电容的铁电层的非易失性存储器装置在审

专利信息
申请号: 202010271847.9 申请日: 2020-04-08
公开(公告)号: CN112310114A 公开(公告)日: 2021-02-02
发明(设计)人: 李在吉;刘香根;李世昊 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: H01L27/1159 分类号: H01L27/1159;H01L27/1157;H01L29/51;H01L29/423
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 刘久亮;黄纶伟
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 包括具有负电容的铁电层的非易失性存储器装置。根据本公开的一个方面的非易失性存储器装置包括:基板,其具有沟道层;栅极介电层结构,其设置在沟道层上;铁电层,其设置在栅极介电层结构上;以及栅电极层,其设置在铁电层上。栅极介电层结构具有正电容。铁电层具有负电容。栅极介电层结构包括设置在沟道层上的电荷隧穿层、电荷俘获层和电荷屏障层。
搜索关键词: 包括 具有 电容 铁电层 非易失性存储器 装置
【主权项】:
暂无信息
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