[发明专利]包括具有负电容的铁电层的非易失性存储器装置在审
申请号: | 202010271847.9 | 申请日: | 2020-04-08 |
公开(公告)号: | CN112310114A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 李在吉;刘香根;李世昊 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L27/1159 | 分类号: | H01L27/1159;H01L27/1157;H01L29/51;H01L29/423 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 包括具有负电容的铁电层的非易失性存储器装置。根据本公开的一个方面的非易失性存储器装置包括:基板,其具有沟道层;栅极介电层结构,其设置在沟道层上;铁电层,其设置在栅极介电层结构上;以及栅电极层,其设置在铁电层上。栅极介电层结构具有正电容。铁电层具有负电容。栅极介电层结构包括设置在沟道层上的电荷隧穿层、电荷俘获层和电荷屏障层。 | ||
搜索关键词: | 包括 具有 电容 铁电层 非易失性存储器 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的