[发明专利]一种西罗莫司分子印迹氮化铒复合糊电极的制备方法有效
| 申请号： | 202010272046.4 | 申请日： | 2020-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN111551618B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 李慧芝;翟玉博;李志英 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | G01N27/48 | 分类号： | G01N27/48;G01N27/30;B82Y15/00 |
| 代理公司： | 济南誉丰专利代理事务所(普通合伙企业) 37240 | 代理人： | 赵凤 |
| 地址： | 250022 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种西罗莫司分子印迹氮化铒复合糊电极的制备方法，采用纳米氮化铒、氧化碳纳米管、硒化镉、N‑磺酸丁基吡啶硫酸氢盐制备得到氮化铒复合糊电极；采用乙烯基三乙酰氧基硅烷修饰氮化铒复合糊电极，制得乙烯基三乙酰氧基硅烷修饰氮化铒复合糊电极；以为模板分子，丙烯酰胺和3‑氨基吡咯为单体，乙二醇二甲基丙烯酸酯交联剂，偶氮二异丁酸二甲酯为引发剂，制得西罗莫司分子印迹聚合物；采用滴涂法将罗莫司分子印迹聚合物修饰在乙烯基三乙酰氧基硅烷修饰氮化铒复合糊电极上，制得西罗莫司分子印迹氮化铒复合糊电极传感器。该传感器对西罗莫司具有灵敏度高、特异性好、检测快速，可反复使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 西罗莫司 分子 印迹 氮化 复合 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于济南大学，未经济南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010272046.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种瓷碗碗口自动上色装置
- 下一篇：一种改性塑料生产用原料搅拌装置
