[发明专利]具有凹槽结构的薄膜磁传感器有效
| 申请号： | 202010272633.3 | 申请日： | 2020-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN111443314B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 文玉梅;周效宽;李平;王遥 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | G01R33/05 | 分类号： | G01R33/05 |
| 代理公司： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 张宁展 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种具有凹槽结构的薄膜磁传感器，其特点是在两层矩形磁性膜之间设置一矩形的螺旋线圈构成，所述的矩形的螺旋线圈整体为平面螺旋结构；所述的矩形的螺旋线圈从矩形内部某一位置处顺时针或者逆时针螺旋绕出；所述的两层矩形磁性膜的内表面均有多组与其传感方向(即待测磁场方向，通常为薄膜长度方向)垂直的矩形的凹槽，该矩形的凹槽的组数与所述的矩形的螺旋线圈的匝数相等；所述的两层矩形磁性膜的矩形凹槽相对，将所述的矩形的螺旋线圈中与传感方向垂直的导体嵌入所述的矩形磁性膜的内部。本发明有效提高了薄膜磁传感器对外磁场的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 凹槽 结构 薄膜 传感器 | ||
【主权项】：
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