[发明专利]外延硅晶片的制造方法及气相沉积装置有效
| 申请号： | 202010273276.2 | 申请日： | 2015-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN111627796B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 辻雅之;清水昭彦;西村智和 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67;C23C16/24;C23C16/455 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杨戬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种外延硅晶片的制造方法及气相沉积装置。所述气相沉积装置具备设置于排气管（8）内并调整反应室（2）的排气的排气调整部（9），排气调整部（9）具备：上游挡板（91），形成为反应室（2）侧的第1开口（91A）大于排气装置（7）侧的第2开口（91B）的锥台筒状；及下游挡板（92），设置于比上游挡板（91）更靠排气装置（7）侧，且形成为反应室（2）侧的第3开口（92A）大于排气装置（7）侧的第4开口（92B）的锥台筒状，上游挡板（91）及下游挡板（92）形成为如下：将排气管（8）的内径、第1开口（91A）的直径及第3开口（92A）的直径设为A、将第2开口（91B）的直径设为B、将第4开口（92B）的直径设为C时，满足B/A及C/A为0.33以下、B/A及C/A中的至少一个为0.26以下、（B+C）/A为0.59以下的条件。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 晶片 制造 方法 沉积 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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