[发明专利]一种基于金属离子注入的氧化铜纳米线阵列场发射阴极材料的制备方法在审
| 申请号： | 202010273709.4 | 申请日： | 2020-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN111392762A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 于晶晶;封文江;高朋 | 申请（专利权）人： | 沈阳师范大学 |
| 主分类号： | C01G3/02 | 分类号： | C01G3/02;H01J1/304;H01J9/02;B82Y10/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人： | 甄玉荃 |
| 地址： | 110034 辽宁省沈*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于金属离子注入的氧化铜纳米线阵列场发射阴极材料的制备方法，其包括以下步骤：(1)铜箔表面进行去氧化层和去油污清洗；(2)利用真空高温管式炉设备在铜箔衬底上热氧化制备氧化铜纳米线阵列基体材料；(3)利用金属蒸汽真空弧源将载能金属离子注入到氧化铜纳米线阵列基体材料表面，获得场发射性能增强的氧化铜纳米线阵列场发射阴极材料。本发明基于金属蒸汽真空弧源金属离子注入技术制备的氧化铜纳米线阵列为场发射阴极材料的基材，具有稳定性好、易制备、成本低、无污染、可重复性好和易于产业化生产的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 金属 离子 注入 氧化铜 纳米 阵列 发射 阴极 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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