[发明专利]基于石墨烯覆盖层的氮化镓器件结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202010274353.6 | 申请日： | 2020-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN111446289B | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 郁发新;莫炯炯;王志宇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L21/336;H01L29/78;H01L23/373 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于石墨烯覆盖层的氮化镓器件结构及其制备方法，制备方法包括：提供半导体衬底，形成包括氮化镓层及铟铝氮势垒层的外延结构，覆盖石墨烯薄膜，形成源极电极、漏极电极、介质钝化层及栅极结构。本发明采用石墨烯薄膜覆盖铟铝氮势垒层表面，有利于解决器件表面缺陷导致隧穿漏电及电流崩塌效应的问题，石墨烯薄膜作为器件的散热层，基于简便的方式提高散热效果，直接形成在铟铝氮势垒层上，从而直接在石墨烯薄膜上制备电极，欧姆接触电阻得到有效降低。铟铝氮势垒层/氮化镓层器件在工作时，工作发热导致的温度升高会时铟铝氮材料中缺陷增多，导致栅极至铟铝氮势垒层的缺陷辅助隧穿漏电增大，通过覆盖石墨烯薄膜减弱了栅极隧穿电流。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 石墨 覆盖层 氮化 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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