[发明专利]一种消除浮渣对无位错锗单晶成晶影响的方法在审
| 申请号： | 202010274836.6 | 申请日： | 2020-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN111304736A | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 柯尊斌;陆海凤;秦瑶;王卿伟;余金忠 | 申请（专利权）人： | 中锗科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/08 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 施婷婷;张苏沛 |
| 地址： | 211200 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种消除浮渣对无位错锗单晶成晶影响的方法，该方法包括：向双悬浮坩埚内投入高纯锗锭，抽真空；按加热化料工艺来设定加热功率和坩埚位置并熔化锗料；加热化料完成后，将加热功率迅速降低同时坩埚位置相对于加热化料时坩埚位置升高，并维持6‑12min；增加坩埚转速并维持3‑10min；切换至引晶阶段所要求加热功率、坩埚位置以及转速参数进行引晶。本发明通过迅速降低温度和增加坩埚转速等调节实现熔体液面部分的熔体向坩埚内壁流动的效果，使浮渣随熔体流动到坩埚壁并附着到悬浮坩埚内壁，而正常的引晶、放肩、等径等阶段的工艺范围变动下，浮渣不会再次被流体带回液面，从而消除浮渣对锗单晶后续生长过程的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 消除 浮渣 无位错锗单晶成晶 影响 方法 | ||
【主权项】：
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