[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202010275688.X | 申请日： | 2020-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN113517257A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 金宗范;李俊杰;周娜;杨涛;李俊峰;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开公开了一种半导体结构及其制备方法，所述半导体结构包括：半导体基底；位于所述半导体基底上的介质层；嵌入于所述介质层当中的至少一个凹槽；凹槽中的金属互连线；所述凹槽的内壁具有侧墙。本公开中，在金属互连线周围形成相同序列的氮化物膜层，解决了金属离子在不同膜层界面处容易产生迁移的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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