[发明专利]双重构图工艺光刻标记的改善方法在审
| 申请号： | 202010275703.0 | 申请日： | 2020-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN111399351A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 田范焕;梁时元;权炳仁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 付婧 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种双重构图工艺光刻标记的改善方法，方法包括：提供一个光刻标记光栅；确定双重构图工艺的侧墙壁厚；根据所述光刻标记光栅的尺寸和所述侧墙壁厚确定所述光栅的分割间距；根据所述分割间距将光栅分割为若干部分；执行所述双重构图工艺。本申请通过将用于构成光刻标记的光栅(grating)进行分割，以在经过双重构图工艺之后防止光刻标记对比度的下降，从而提升了标记测量的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 双重 构图 工艺 光刻 标记 改善 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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