[发明专利]单晶硅制绒添加剂、制绒方法以及绒面单晶硅片制备方法在审

专利信息
申请号: 202010276903.8 申请日: 2020-04-09
公开(公告)号: CN111455467A 公开(公告)日: 2020-07-28
发明(设计)人: 李新普;高志博;贾锐 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: C30B33/10 分类号: C30B33/10;C30B29/06
代理公司: 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 代理人: 陈晓瑜
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种单晶硅制绒添加剂,包括:溶剂以及质量比为0.25%~1.5%绒面催化剂、0.1%~3%环糊精和0.52%~1.9%绒面缓蚀剂。还提供一种单晶硅制绒方法,包括:将单晶硅片通过制绒剂制绒,其中,制绒剂包括溶剂以及质量百分比为0.5%~3%碱和体积百分比为0.1%~2%如上述单晶硅制绒添加剂。还提供一种绒面单晶硅片制备方法,包括:将单晶硅片在碱性环境中进行抛光,以去除单晶硅片损伤层;将去除损伤层单晶硅片在碱液中进行清洗,以去除单晶硅片表面杂质;将去除杂质单晶硅片采用如权利要求6~8任意一项单晶硅制绒方法进行制绒;将制绒后单晶硅片在碱液中进行清洗,以去除单晶硅片表面杂质;将去除杂质单晶硅片在酸液中进行清洗。本发明能够在单晶硅片表面制备均匀细密金字塔结构。
搜索关键词: 单晶硅 添加剂 方法 以及 制备
【主权项】:
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