[发明专利]硅光电倍增器的温度和不均匀补偿电路有效
申请号: | 202010277458.7 | 申请日: | 2020-04-10 |
公开(公告)号: | CN112117288B | 公开(公告)日: | 2022-11-01 |
发明(设计)人: | B·P·麦加维;S·J·贝里斯 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/024;G01J1/44 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明题为“硅光电倍增器的温度和不均匀补偿电路”。成像设备可包括有源硅光电倍增器和相关联的温度和不均匀补偿电路,电路被配置为减轻器件上的温度和工艺变化。补偿电路可包括基准硅光电倍增器、将固定电流提供到基准硅光电倍增器中的恒定电流源、用于检测从基准硅光电倍增器输出的电压的电压传感器、用于转换从电压传感器输出的电压的数据转换器、以及用于根据从数据转换器输出的信号来生成用于偏置有源硅光电倍增器的可调电压的电压控制器。有源硅光电倍增器可包括由微透镜覆盖的多个照亮的微小区,而基准硅光电倍增器可包括分布在照亮的微小区之间的多个暗微小区,以帮助应对成像设备上的微小区性能的不均匀性。 | ||
搜索关键词: | 光电 倍增器 温度 不均匀 补偿 电路 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的