[发明专利]硅光电倍增器的温度和不均匀补偿电路有效

专利信息
申请号: 202010277458.7 申请日: 2020-04-10
公开(公告)号: CN112117288B 公开(公告)日: 2022-11-01
发明(设计)人: B·P·麦加维;S·J·贝里斯 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L31/024;G01J1/44
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 秦晨
地址: 美国亚*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明题为“硅光电倍增器的温度和不均匀补偿电路”。成像设备可包括有源硅光电倍增器和相关联的温度和不均匀补偿电路,电路被配置为减轻器件上的温度和工艺变化。补偿电路可包括基准硅光电倍增器、将固定电流提供到基准硅光电倍增器中的恒定电流源、用于检测从基准硅光电倍增器输出的电压的电压传感器、用于转换从电压传感器输出的电压的数据转换器、以及用于根据从数据转换器输出的信号来生成用于偏置有源硅光电倍增器的可调电压的电压控制器。有源硅光电倍增器可包括由微透镜覆盖的多个照亮的微小区,而基准硅光电倍增器可包括分布在照亮的微小区之间的多个暗微小区,以帮助应对成像设备上的微小区性能的不均匀性。
搜索关键词: 光电 倍增器 温度 不均匀 补偿 电路
【主权项】:
暂无信息
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