[发明专利]反向阻断功率半导体器件和处理反向阻断功率半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202010278050.1 | 申请日： | 2020-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN111816695A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | F.D.普菲尔施 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/739;H01L29/78;H01L21/331;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张凌苗;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 反向阻断功率半导体器件和处理反向阻断功率半导体器件的方法。一种反向阻断功率半导体器件（1）包括：第一负载端子结构（11）和第二负载端子结构（12）；半导体本体（10），其被配置用于在第一负载端子结构（11）与第二负载端子结构（12）之间传导负载电流；多个控制单元（14），其与第一负载端子结构（11）电连接并且包括：正向阻断结（103），其被配置用于在反向阻断功率半导体器件（1）的正向阻断状态中阻断第一负载端子结构（11）与第二负载端子结构（12）之间的正向电压；以及控制电极（150），其借助于控制电极绝缘层（151）与正向阻断结（103）分离并且被配置用于在正向阻断状态与正向导通状态之间切换反向阻断功率半导体器件（1）。 | ||
| 搜索关键词： | 反向 阻断 功率 半导体器件 处理 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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