[发明专利]一种中红外锑化物量子级联激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 202010281514.4 | 申请日： | 2020-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN111431033B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 张一;牛智川;张宇;徐应强;杨成奥;谢圣文;邵福会;尚金铭 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种中红外锑化物量子级联激光器及其制备方法，包括：GaSb衬底，以及在GaSb衬底上依次外延生长的下限制层、下波导层、有源级联区、上波导层、上限制层以及上接触层；其中，有源级联区包含多个周期，每个周期包含注入区与有源区，在注入区中，电子的能量被提升至第一能级，在提升至第一能级后，电子被注入有源区，在有源区中，电子从第一能级跃迁至第二能级，并在跃迁过程中发光，第二能级低于第一能级，在跃迁至第二能级后，电子利用声子从第二能级跃迁至第三能级，第三能级低于第二能级，在跃迁至第三能级后，电子被注入下一个周期的注入区。本公开提供的中红外锑化物量子级联激光器可以覆盖整个中红外波段。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 红外 锑化物 量子 级联 激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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