[发明专利]垂直存储器件在审
申请号: | 202010282827.1 | 申请日: | 2020-04-08 |
公开(公告)号: | CN111916458A | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
发明(设计)人: | 徐裕轸;李秉一;姜秀彬;具池谋 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/11529 | 分类号: | H01L27/11529;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11582 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 李娜;王占杰 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种垂直存储器件包括位于衬底上的多个沟道、沟道连接图案、多个栅电极以及顺序堆叠的蚀刻停止图案和阻挡图案。所述沟道在与所述衬底的上表面垂直的第一方向上延伸。所述沟道连接图案在与所述衬底的所述上表面平行的第二方向上延伸以覆盖所述沟道的外侧壁。所述多个栅电极在所述沟道连接图案上沿所述第一方向彼此间隔开,并沿所述第二方向延伸以围绕所述多个沟道。所述蚀刻停止图案和所述阻挡图案在所述沟道连接图案的在第三方向上的端部沿第三方向顺序地堆叠,所述第三方向与所述衬底的所述上表面平行并与所述第二方向交叉,所述蚀刻停止图案和所述阻挡图案包括彼此不同的材料。 | ||
搜索关键词: | 垂直 存储 器件 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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