[发明专利]具有改进的列数据移位读取的CMOS图像传感器有效

专利信息
申请号: 202010283337.3 申请日: 2020-04-10
公开(公告)号: CN111314636B 公开(公告)日: 2022-02-08
发明(设计)人: 徐辰;莫要武;任冠京;马伟剑;侯金剑 申请(专利权)人: 思特威(上海)电子科技股份有限公司
主分类号: H04N5/374 分类号: H04N5/374;H04N5/378
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人: 胡晶
地址: 201203 上海市浦东新区中国(上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种具有像素阵列的图像传感器,该像素阵列具有在输入侧耦合到每条列线并且在输出侧耦合到独立的M位宽数字存储电路的单独的模数转换(ADC)电路,以及包括N个M位数据移位器的列数据读出电路。每个M位数据移位器都有一个M位宽的输出,以及单刀双掷(SPDT)开关,其公共端子为M位数据移位器提供输入,其中SPDT开关的第一开关状态将关联的M位数据移位器的输入连接到其关联的M位宽数字存储电路,其中SPDT的第二开关状态开关将其关联的M位数据移位器的输入连接到相邻的M位数据移位器的M位宽的输出总线。
搜索关键词: 具有 改进 数据 移位 读取 cmos 图像传感器
【主权项】:
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