[发明专利]一种半导体激光器芯片与LNOI光芯片的异构集成结构有效
| 申请号： | 202010283709.2 | 申请日： | 2020-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN111585166B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 钱广;孔月婵;陈堂胜 | 申请（专利权）人： | 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026;H01S5/00 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 陈鹏 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市秦淮区永*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体激光器芯片与LNOI光芯片的异构集成结构，包括镶嵌槽、激光器芯片、SiN锥形结构、LNOI锥形结构、过渡凹槽和LNOI集成光路；镶嵌槽位于SiN锥形结构和LNOI锥形结构中间，激光器芯片通过贴片材料键合在镶嵌槽中，激光器发光端面嵌入双层锥形结构并与其对准，同时实现激光器芯片光模场向LNOI光路中的尺寸转变和低损耗耦合，且在对准端面加入折射率匹配胶、增透膜以进一步降低耦合损耗，满足半导体激光器芯片与LNOI光芯片的低插损集成需求。本发明将双层的SiN锥形结构和LNOI锥形结构两侧挖空，降低锥形结构侧面辐射和散射，有效降低LNOI锥形结构与LNOI集成光路的光耦合损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 芯片 lnoi 集成 结构 | ||
【主权项】：
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