[发明专利]半导体外延设备中的反应腔室及半导体外延设备

摘要

本申请实施例提供一种半导体外延设备中的反应腔室，包括自上而下依次叠置的上拱顶、基座环、支撑座，所述上拱顶、基座环、支撑座配合围成所述反应腔室的反应腔，所述反应腔中设置有用于承载待加工工件的承载台，所述上拱顶包括拱顶环和透明的拱顶本体，所述拱顶本体与所述拱顶环连接，所述拱顶环叠置在所述基座环上，所述拱顶本体具备向上拱起的顶面和与所述承载台的承载面平行的底面。通过将承载面和底面设置为一对相对且相互平行的表面，使得当反应进行时，氢气等反应气体在竖直方向上的扩散程度均一，提高了平板状硅源中心处和边缘处气体浓度的一致性，增加了平板状硅源外延反应的均匀性。