[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 202010286322.2 | 申请日： | 2020-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN113540217B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 蔡巧明;李洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 刘荣娟 |
| 地址： | 100176 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括阱区，所述阱区中形成有第二漂移区以及位于所述第二漂移区中的第三隔离结构；栅极结构，位于所述第三隔离结构之间的半导体衬底上，所述栅极结构包括栅极，所述栅极包括沿沟道宽度方向交替排布的栅极层以及反型抑制层，其中，所述反型抑制层位于所述隔离结构靠近所述栅极结构的边界上方，所述反型抑制层的类型与所述阱区的类型相同。所述反型抑制层可以提高沟道边缘的阈值电压，从而降低所述边界处的沟道漏电，并且不会影响整体器件的阈值电压和器件开启时的电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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