[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

本发明描述了用于形成具有气隙的栅极间隔件结构以减小晶体管的栅极结构和源极/漏极接触件之间的寄生电容的方法。在一些实施例中，该方法包括在衬底上形成栅极结构，并且在栅极结构的侧壁表面上形成间隔件堆叠件—其中，间隔件堆叠件包括与栅极结构接触的内部间隔件层、位于内部间隔件层上的牺牲间隔件层和位于牺牲间隔件层上的外部间隔件层。该方法还包括去除牺牲间隔件层以在内部间隔件层和外部间隔件层之间形成开口，在内部和外部间隔件层的顶面上沉积聚合物材料，蚀刻内部和外部间隔件层的顶部侧壁表面以形成锥形顶部，以及沉积密封材料。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。