[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202010288407.4 | 申请日： | 2020-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN112420834A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 林政明;杨世海;方子韦;徐志安;赵皇麟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/51;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种半导体器件，其包括衬底以及位于衬底上的第一间隔件和第二间隔件。半导体器件还包括位于第一间隔件和第二间隔件之间的栅极堆叠。栅极堆叠包括栅极介电层，具有形成在衬底上的第一部分和形成在第一间隔件和第二间隔件上的第二部分；内部栅极，形成在栅极介电层的第一部分和第二部分上；铁电介电层，形成在内部栅极上并且与栅极介电层接触；以及栅电极，位于铁电介电层上。本公开的实施例还涉及形成半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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