[发明专利]包括高速缓存锁存电路的半导体存储器装置在审
| 申请号： | 202010288684.5 | 申请日： | 2020-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN112447212A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 吴星来;金东赫;朴泰成;丁寿男 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 包括高速缓存锁存电路的半导体存储器装置。一种半导体存储器装置包括：存储器单元阵列；页缓冲器电路，该页缓冲器电路包括多个页缓冲器，所述多个页缓冲器通过在与第一方向相交的第二方向上延伸的多个位线联接到存储器单元阵列；以及高速缓存锁存电路，该高速缓存锁存电路包括联接到多个页缓冲器的多个高速缓存锁存器。多个高速缓存锁存器可以具有在第一方向和第二方向上的二维布置。在多个高速缓存锁存器中，共享数据线和反相数据线的偶数高速缓存锁存器和奇数高速缓存锁存器可以设置为在第一方向上彼此相邻。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 高速缓存 电路 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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