[发明专利]一种多孔Si/SiC/C材料的制备方法及负极材料有效
| 申请号： | 202010289292.0 | 申请日： | 2020-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN111477849B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 姜春海;周文扬;邹智敏 | 申请（专利权）人： | 厦门理工学院 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/587;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218 | 代理人： | 汪万龙 |
| 地址： | 361000 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种多孔Si/SiC/C材料的制备方法和负极材料，其制备方法包括：S1、将废硅粉和镁粉按质量比进行研磨混合，混合物和无水乙醇置于行星式球磨机中进行物理球磨，烘干，得到硅镁合金粉体；S2、在惰性气体保护下，将所述硅镁合金粉体进行加热反应，随炉冷却，研磨，得到所述硅化镁粉体；S3、在CO |
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| 搜索关键词： | 一种 多孔 si sic 材料 制备 方法 负极 | ||
【主权项】：
暂无信息
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