[发明专利]一种1T相硫化钨双极性异质结窄带近红外光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种1T相硫化钨双极性异质结窄带近红外光电探测器及其制备方法，该探测器的结构为：在单晶硅衬底的上、下表面皆设置有SiO2绝缘层；在各层SiO2绝缘层的中心皆形成有一盲孔；在两盲孔内皆沉积二维1T‑WS2材料，两层二维1T‑WS2材料与单晶硅衬底形成1T‑WS2/Si/1T‑WS2双极性异质结；上、下两层二维1T‑WS2材料外表面分别设置有顶电极和底电极。本发明所制备的探测器具有近红外窄带响应、响应速度快、易集成等优势，同时还具有制备方法简单、成本低、稳定性高、兼容性强等优点，将在研发低成本、高速、稳定、高集成度的窄带近红外探测器中具有广阔的应用前景。