[发明专利]一种基于二维材料的电荷俘获存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 202010290015.1 | 申请日： | 2020-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN111463265A | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 门阔;魏峰;沈宇鑫;连紫薇 | 申请（专利权）人： | 有研工程技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/423;H01L29/51;H01L29/792;H01L21/34;H01L21/443;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 中国有色金属工业专利中心 11028 | 代理人： | 范威 |
| 地址： | 101407 北京市怀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于二维材料的电荷俘获存储器及其制备方法，其中存储器包括：自下而上依次设置的硅衬底、隧穿层、电荷俘获层、阻挡层、沟道层、控制电极；其中，隧穿层和阻挡层均为氧化铝材料，电荷俘获层为掺杂的氧化铪薄膜，沟道层为二硫化钼材料。本发明采用掺杂的氧化铪材料作为电荷俘获层，可以有效提高电荷俘获效率，有助于在低电压下获得足够大的存储窗口；采用二维材料作为沟道层，能够提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 二维 材料 电荷 俘获 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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