[发明专利]一种磁性掺杂超导薄膜及制备方法和超导转变边沿探测器在审
| 申请号： | 202010290064.5 | 申请日： | 2020-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN111575668A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 高波;陈建国;吕越;黄浩;游天桂;欧欣;王镇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C23C14/48 | 分类号： | C23C14/48;C23C14/14;C23C16/06;C23C14/35;C23C14/30;C23C16/455;G01J1/42 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁性掺杂超导薄膜及制备方法和超导转变边沿探测器，涉及低温超导探测器技术领域。本发明通过在衬底上形成预设的宿主薄膜，并在宿主薄膜的深度方向进行非均匀注入磁性离子，在宿主薄膜的深度方向上形成共存的磁性掺杂区和非掺杂区，得到磁性掺杂超导薄膜。本发明采用非均匀的离子注入方式，能够有效抑制宿主薄膜的超导特性，起到调控宿主薄膜的临界温度的目的。相对于现有技术，本发明在达到相同的临界温度调控的同时，还可以获得更低的电阻率；由于该磁性掺杂超导薄膜具有较高的稳定性，能够使超导转变边沿探测器的制备和性能避免因双层膜不稳定性带来的影响，能够极大地提高超导转变边沿探测器制备过程中和使用性能的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 掺杂 超导 薄膜 制备 方法 转变 边沿 探测器 | ||
【主权项】：
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