[发明专利]太阳能电池的电注入再生方法及基于电注入的太阳能电池有效
申请号: | 202010290219.5 | 申请日: | 2020-04-14 |
公开(公告)号: | CN112310241B | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 彭寿;殷新建;陈瑛;周显华;吴一民 | 申请(专利权)人: | 中国建材国际工程集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0445 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 佟婷婷 |
地址: | 200063 上海市普*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明的太阳能电池的电注入再生方法及基于电注入的太阳能电池,电注入再生方法包括:提供太阳能电池结构,包括衬底层、窗口层、光吸收层、过渡层以及背电极层,过渡层包括含铜材料层,进行电注入以使含铜材料层中的铜离子迁移钉扎。通过进行电注入工艺使得铜离子进行方向性的扩散迁移并进一步氧化钉扎,可以利于背接触导电的作用,同时不会在正常工作状态下的随机扩散,在提升组件效率的情况下,并具备长期稳定性。光吸收层采用硒化镉/掺硒碲化镉/碲化镉的复合层结构,该复合层结构有效降低了碲化镉的能带,使得电池对700nm~900nm的波长的光的吸收大幅增加,使太阳能电池对长波长和短波长光的吸收达到最大,以此增加电池短路电流密度,提高电池效率。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 注入 再生 方法 基于 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的