[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010291628.7 | 申请日： | 2020-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN113540238A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：基底，所述基底表面具有栅极结构；分别位于所述栅极结构两侧的基底内的源漏开口；位于所述源漏开口内的第一应力层，且所述第一应力层内掺杂有第一离子；位于所述第一应力层上的保护层，且所述保护层内掺杂有第二离子；位于所述第一应力层和保护层之间的反型层，且所述反型层内掺杂有第三离子，且所述第三离子的导电类型和所述第二离子的导电类型相反。所述半导体结构能够改善短沟道效应，性能较高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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