[发明专利]一种大孔径高速光电探测器有效
申请号: | 202010291927.0 | 申请日: | 2020-04-14 |
公开(公告)号: | CN111477703B | 公开(公告)日: | 2022-01-18 |
发明(设计)人: | 李冲;徐港;苏佳乐;秦世宏;鲍凯;关锴 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/105 |
代理公司: | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人: | 王维新 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种大孔径高速光电探测器,光电探测器是垂直入射器件,由下往上依次设有光栅区、衬底层、p型掺杂区、本征吸收区、n型掺杂区;垂直入射器件为台面结构,通过刻蚀将p型掺杂区暴露在下台面,n型掺杂区位于上台面;p型掺杂区上形成p型欧姆电极,n型掺杂区上形成n型欧姆电极;光栅区是在衬底层背面通过图形刻蚀形成周期性的光栅结构,此结构具有透镜作用,能将大面积垂直入射的平行光汇聚到光栅后方焦点处;衬底层材料的禁带宽度大于入射光子能量;本征吸收区材料的禁带宽度小于或等于入射光子能量。本发明的光电探测器具有低成本、低功耗、小尺寸、高速和大通光面积的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 孔径 高速 光电 探测器 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的