[发明专利]一种半导体存储器绝缘薄膜生产装置有效

专利信息
申请号: 202010293146.5 申请日: 2020-04-15
公开(公告)号: CN111422658B 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 金恩升 申请(专利权)人: 深圳市胜格实业有限公司
主分类号: B65H19/30 分类号: B65H19/30;B65H19/29;B65H23/188;B65H35/02;B29C55/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市光明新区公明街道*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种半导体存储器绝缘薄膜生产装置,涉及绝缘薄膜生产装置技术领域,具体为一种半导体存储器绝缘薄膜生产装置,包括固定台,所述固定台的顶部固定安装有支撑板,且支撑板的中部活动套接有上料辊,所述支撑板的中部活动套接有位于上料辊右侧的加热辊,且加热辊的内部固定安装有加热丝,所述支撑板的中部活动套接有位于加热辊右侧的固定轴。该半导体存储器绝缘薄膜生产装置,通过加热辊内部的加热丝对绝缘薄膜进行加热,增加绝缘薄膜的延展性,通过旋动调节螺杆,从而使连接架上下移动,进而使张紧辊上下移动,对绝缘薄膜进行顶压,从而使绝缘薄膜拉伸延展,改变绝缘薄膜的厚度。
搜索关键词: 一种 半导体 存储器 绝缘 薄膜 生产 装置
【主权项】:
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