[发明专利]一种基于ME-BT复合空穴传输层的钙钛矿光电探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 202010293158.8 | 申请日： | 2020-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN111490163B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 于军胜;郑丁;侯思辉;李嘉文 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H10K30/60 | 分类号： | H10K30/60;H10K85/30;H10K30/40;H10K71/12 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 沈颖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于ME‑BT复合空穴传输层的钙钛矿光电探测器及其制备方法，涉及光电探测器件技术领域，所述光电探测器包括从下到上依次设置的衬底、导电阴极、电子传输层、钙钛矿光活性层，复合空穴传输层和金属阳极，所述复合空穴传输层包括上下两层，所述复合空穴传输层的上层材料为ME‑BT，下层材料为Spiro‑OMeTAD，本发明通过引入ME‑BT与Spiro‑OMeTAD形成复合空穴传输层，在提升器件光电流的同时，大幅降低其暗电流，解决了传统空穴传输层材料Spiro‑OMeTAD迁移率低，器件稳定性差，寿命较短的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 me bt 复合 空穴 传输 钙钛矿 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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