[发明专利]一种铌酸锂薄膜电光调制器芯片以及调制器有效
| 申请号： | 202010294395.6 | 申请日： | 2020-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN112835215B | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 李萍 | 申请（专利权）人： | 天津领芯科技发展有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/035 | 分类号： | G02F1/035 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300400 天津市北辰区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铌酸锂薄膜电光调制器芯片，通过将Y分支波导、射频调制部分的波导光路、偏压控制部分的波导光路在空间上进行分隔，并使用90°弯曲波导将上述波导光路进行连接，可以显著地缩短铌酸锂薄膜电光调制器芯片的长度；另外，还提供了一种铌酸锂薄膜电光调制器，将作为光学输入端口和输出端口的光纤放置于铌酸锂薄膜电光调制器芯片的同一侧，并且将电光调制器件的光纤端口保护结构放置于器件的同一侧，可以有效地缩短铌酸锂薄膜电光调制器的总长度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铌酸锂 薄膜 电光 调制器 芯片 以及 | ||
【主权项】：
暂无信息
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